N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
额定电压DC 100 V
额定电流 1.30 A
额定功率 1.3 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 2 V
输入电容 490pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
上升时间 64.0 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP
长度 5 mm
宽度 6.29 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLD120PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLD110PBF 威世 | 类似代替 | IRLD120PBF和IRLD110PBF的区别 |