IRFD110PBF概述
VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
The is a N-channel Power MOSFET with combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
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- Dynamic dv/dt rating
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- Repetitive avalanche rated
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- Automatic insertion
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- End stackable
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- 175°C Operating temperature
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- Fast switching and ease of paralleling
IRFD110PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 1.00 A
额定功率 1.3 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 4 V
输入电容 180pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 180pF @25VVds
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
外形尺寸
长度 6.29 mm
宽度 6.29 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IRFD110PBF
型号： IRFD110PBF
描述：VISHAY IRFD110PBF... 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V