IRF9Z34PBF

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IRF9Z34PBF概述

VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead Pb-free Available

IRF9Z34PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 88 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids -18.0 A

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF9Z34PBF
型号: IRF9Z34PBF
描述:VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道
替代型号IRF9Z34PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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