IRFU014PBF概述
VISHAY IRFU014PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
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- Dynamic dV/dt rating
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- Ease of paralleling
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- Straight lead
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- Simple drive requirements
IRFU014PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
脚长度 9.65 mm
封装 TO-251
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFU014PBF
型号： IRFU014PBF
描述：VISHAY IRFU014PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V