IRF9520PBF概述
VISHAY IRF9520PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
The is a -100V P-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- .
- Dynamic dv/dt rating
- .
- Repetitive avalanche rated
- .
- Fast switching
- .
- Ease of paralleling
- .
- Simple drive requirements
- .
- ±20V Gate to source voltage
- .
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- .
- 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient
IRF9520PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -6.80 A
额定功率 60 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 -100 V
连续漏极电流Ids -6.80 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 390pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 商业, 工业, Commercial, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRF9520PBF
型号： IRF9520PBF
描述：VISHAY IRF9520PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V