IRFBE20PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.80 A
针脚数 3
漏源极电阻 6.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 54 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 17.0 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 54 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFBE20PBF
型号： IRFBE20PBF
描述：VISHAY IRFBE20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFBE20PBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFBE20PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
NTE2387 NTE Electronics | 功能相似 | IRFBE20PBF和NTE2387的区别 |