VISHAY IRFD9220PBF 场效应管, MOSFET, P沟道
* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * P-Channel * Fast Switching * Ease of Paralleling * VDS: -200 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
安富利:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
富昌:
单 P 沟道 200 V 1.5 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -600mA; 1W; DIP4
Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
Newark:
# VISHAY IRFD9220PBF MOSFET Transistor, P Channel, -560 mA, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
额定电压DC -200 V
额定电流 -560 mA
额定功率 1 W
针脚数 4
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 -200 V
连续漏极电流Ids -560 mA
上升时间 27 ns
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP
长度 6.29 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free