IRFD9220PBF

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IRFD9220PBF概述

VISHAY  IRFD9220PBF  场效应管, MOSFET, P沟道

* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * P-Channel * Fast Switching * Ease of Paralleling * VDS: -200 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP


安富利:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP


富昌:
单 P 沟道 200 V 1.5 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -600mA; 1W; DIP4


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP


Newark:
# VISHAY  IRFD9220PBF  MOSFET Transistor, P Channel, -560 mA, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V


IRFD9220PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -560 mA

额定功率 1 W

针脚数 4

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 -200 V

连续漏极电流Ids -560 mA

上升时间 27 ns

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP

外形尺寸

长度 6.29 mm

高度 3.37 mm

封装 DIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFD9220PBF
型号: IRFD9220PBF
描述:VISHAY  IRFD9220PBF  场效应管, MOSFET, P沟道

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