IRL640STRLPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 83 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 52 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRL640STRLPBF
型号： IRL640STRLPBF
描述：VISHAY IRL640STRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 17A, 200V, 180mohm, 5V, 2V