IRFDC20PBF

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IRFDC20PBF概述

VISHAY  IRFDC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道

* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * Fast Switching * Ease of Paralleling * Simple Drive Requirements * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC * VDS: 600 V


贸泽:
MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP


富昌:
单 N沟道 600 V 4.4 Ohms 通孔 功率Mosfet - HVMDIP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP


Newark:
# VISHAY  IRFDC20PBF  Power MOSFET, N Channel, 320 mA, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V


IRFDC20PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 320 mA

针脚数 4

漏源极电阻 4.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 4 V

输入电容 350pF @25V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 320 mA

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

长度 6.29 mm

高度 3.37 mm

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFDC20PBF
型号: IRFDC20PBF
描述:VISHAY  IRFDC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道

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