VISHAY IRFDC20PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * Fast Switching * Ease of Paralleling * Simple Drive Requirements * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC * VDS: 600 V
贸泽:
MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP
富昌:
单 N沟道 600 V 4.4 Ohms 通孔 功率Mosfet - HVMDIP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP
Newark:
# VISHAY IRFDC20PBF Power MOSFET, N Channel, 320 mA, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V
额定电压DC 600 V
额定电流 320 mA
针脚数 4
漏源极电阻 4.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 4 V
输入电容 350pF @25V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 320 mA
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
长度 6.29 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free