VISHAY IRF740APBF 场效应管, MOSFET, N沟道
The is a 400V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching.
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- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Low RDS ON
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- 150°C Operating temperature
额定电压DC 400 V
额定电流 10.0 A
额定功率 125 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
输入电容 1030pF @25V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1030pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF740APBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF730APBF 威世 | 类似代替 | IRF740APBF和IRF730APBF的区别 |
FQP11N40C 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF740APBF和FQP11N40C的区别 |