IRF720SPBF

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IRF720SPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 3.30 A

上升时间 14 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: IRF720SPBF
描述:VISHAY IRF720SPBF MOSFET Transistor, N Channel, 3.3A, 400V, 1.8Ω, 10V, 4V

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