IRFD010PBF

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IRFD010PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

封装 DIP-4

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFD010PBF
描述:VISHAY  IRFD010PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, HEXDIP

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