IRFP450PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFP450PBF概述

VISHAY IRFP450PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V

The is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.

.: Dynamic dV/dt rating

.: Repetitive avalanche rated

.: Easy to parallel

.: Simple drive requirement

.: Isolated central mounting hole

IRFP450PBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 14.0 A

额定功率 190 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

输入电容 2600pF @25V

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 47 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

下降时间 44 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFP450PBF

型号： IRFP450PBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY IRFP450PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V

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