VISHAY IRFP22N50APBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
贸泽:
MOSFET N-Chan 500V 22 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC
富昌:
单 N 沟道 500 V 0.23 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 277W; TO247AC
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-247AC
Newark:
# VISHAY IRFP22N50APBF MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 V
额定电压DC 500 V
额定电流 22.0 A
额定功率 277 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 277 W
阈值电压 4 V
输入电容 3450pF @25V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 94 ns
输入电容Ciss 3450pF @25VVds
下降时间 47 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 277 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC