IRFZ48PBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 250 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
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型号： IRFZ48PBF
描述：N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor