VISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
The is a 500V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching.
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- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Low RDS ON
额定电压DC 500 V
额定电流 20.0 A
额定功率 280 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 280 W
阈值电压 4 V
输入电容 3100pF @25V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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