IRF640SPBF

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IRF640SPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IRF640SPBF
描述:N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号IRF640SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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