VISHAY IRFB9N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
The is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.
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- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
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- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
额定电压DC 600 V
额定电流 9.20 A
额定功率 170 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
阈值电压 4 V
输入电容 1400pF @25V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 9.20 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.51 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB9N60APBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP10N60NZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRFB9N60APBF和FDP10N60NZ的区别 |
FQP10N60C 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRFB9N60APBF和FQP10N60C的区别 |