N 通道 MOSFET，300V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most safety specifications.
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- Dynamic dV/dt rating
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- Ease of paralleling
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- Repetitive avalanche rated
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- Isolated central mounting hole
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- Simple drive requirements
额定电压DC 400 V
额定电流 23.0 A
额定功率 280 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 280 W
阈值电压 4 V
输入电容 4500pF @25V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 67 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Commercial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFP360PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |