IRFBC40ASPBF

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IRFBC40ASPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

输入电容 1036pF @25V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

上升时间 23 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFBC40ASPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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