IRFPS43N50KPBF概述
VISHAY IRFPS43N50KPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 500 V, 78 mohm, 10 V, 5 V
The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
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- Simple drive requirements
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- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Low RDS ON
IRFPS43N50KPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 47.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 540 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 8310pF @25VVds
下降时间 74 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 SUPER-247
外形尺寸
长度 16.1 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.8 mm
封装 SUPER-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFPS43N50KPBF
型号： IRFPS43N50KPBF
描述：VISHAY IRFPS43N50KPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 500 V, 78 mohm, 10 V, 5 V