功率MOSFET Power MOSFET
* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * Fast Switching * Ease of Paralleling * Simple Drive Requirements * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC * VDS: 500 V
贸泽:
MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 370mA; 1.3W; DIP4
Newark:
# VISHAY IRFD420PBF MOSFET, N-CH, 500V, 0.37A, HVMDIP New
额定电压DC 500 V
额定电流 460 mA
额定功率 1.3 W
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 4 V
输入电容 360pF @25V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 370 mA
上升时间 8.6 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP
长度 6.29 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17