INFINEON IGW40N120H3 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
极低 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
低 EMI
最高接点温度 175°C
立创商城:
IGW40N120H3
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 483W; TO247-3; Series: H3
DeviceMart:
IGBT 1200V 80A 483.0W TO247-3
Win Source:
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
额定功率 483 W
针脚数 3
耗散功率 483 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 483 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 483 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 All hard switching applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IGW40N120H3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IGW15N120H3 英飞凌 | 类似代替 | IGW40N120H3和IGW15N120H3的区别 |