INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61WV102416BLL-10TLI 芯片, 存储器, SRAM, 16MB, 10NS, 48TSOP
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
立创商城:
IS61WV102416BLL-10TLI
得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
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静态随机存取存储器 16M 1Mx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48-Pin TSOP-I
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# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61WV102416BLL-10TLI SRAM, 16MBIT, 10NS, 48TSOP
DeviceMart:
IC SRAM 16MBIT 10NS 48TSOP
Win Source:
IC SRAM 16MBIT 10NS 48TSOP
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
工作电压 2.4V ~ 3.6V
针脚数 48
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 2000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.4V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP-48
长度 18.6 mm
宽度 12.2 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Industrial, 工业, 车用, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS61WV102416BLL-10TLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61WV102416BLL-10TLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61WV102416BLL-10TLI和IS61WV102416BLL-10TLI-TR的区别 |
IS62WV102416BLL-25TLI Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61WV102416BLL-10TLI和IS62WV102416BLL-25TLI的区别 |
IS64WV102416BLL-10CTLA3 Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61WV102416BLL-10TLI和IS64WV102416BLL-10CTLA3的区别 |