ISL9N302AS3概述
N沟道 30V 75A
N-Channel 30V 75A Tc 345W Tc Through Hole I2PAK TO-262
立创商城:
N沟道 30V 75A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
贸泽:
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
艾睿:
TRANS MOSFET N-CH 30V 75A 3-PIN2+TAB TO-263AB T/R
ISL9N302AS3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 A
通道数 1
漏源极电阻 1.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 345 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
输入电容Ciss 11000pF @15VVds
额定功率Max 345 W
耗散功率Max 345W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-262-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买ISL9N302AS3