IRLR110TRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRLR110TRPBF图片1

IRLR110TRPBF图片2

IRLR110TRPBF图片3

IRLR110TRPBF图片4

IRLR110TRPBF图片5

IRLR110TRPBF图片6

IRLR110TRPBF图片7

IRLR110TRPBF中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 47 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRLR110TRPBF

型号： IRLR110TRPBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - TO-252

替代型号IRLR110TRPBF

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRLR110TRPBF

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

IRLR110PBF

威世

完全替代

IRLR110TRPBF和IRLR110PBF的区别