IRFZ24PBF

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IRFZ24PBF概述

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

IRFZ24PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 640pF @25VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFZ24PBF
描述:MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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