IRF830ASPBF

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IRF830ASPBF概述

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

FEATURES

• Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Effective Cossspecified

• Lead Pb-free Available


欧时:
### N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单 N 沟道 500 V 1.4 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3


IRF830ASPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 D2PAK

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 D2PAK

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF830ASPBF
型号: IRF830ASPBF
描述:N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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