IRF9Z24SPBF

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IRF9Z24SPBF概述

VISHAY  IRF9Z24SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

The is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast-switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

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Advanced process technology
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-55 to 175°C Operating temperature range
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Fully avalanche rated
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Surface-mount
IRF9Z24SPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds -60.0 V

漏源击穿电压 -60.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A, -11.0 A

输入电容Ciss 570pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF9Z24SPBF
型号: IRF9Z24SPBF
描述:VISHAY  IRF9Z24SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
替代型号IRF9Z24SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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