IRFBC40PBF

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IRFBC40PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.20 A

额定功率 96 W

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

输入电容 1300pF @25V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFBC40PBF
描述:N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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