IRF730APBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF730APBF概述

VISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 V

The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.

.: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

.: Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

.: Effective COSS specified

.: Simple drive requirements

IRF730APBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 5.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 600pF @25V

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 22 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.51 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF730APBF

型号： IRF730APBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 V

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替代型号IRF730APBF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF730APBF Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRF740APBF 威世	类似代替	IRF730APBF和IRF740APBF的区别
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