IRFI510GPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 27 W
阈值电压 4 V
输入电容 180pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 180pF @25VVds
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.12 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
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型号： IRFI510GPBF
描述：N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor