IRFIBF20GPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRFIBF20GPBF图片1

IRFIBF20GPBF图片2

IRFIBF20GPBF图片3

IRFIBF20GPBF中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 21 ns

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFIBF20GPBF

型号： IRFIBF20GPBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道

替代型号IRFIBF20GPBF

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRFIBF20GPBF

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

NTE2399

NTE Electronics

功能相似

IRFIBF20GPBF和NTE2399的区别