IRFIZ34GPBF

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IRFIZ34GPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.05 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 52 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFIZ34GPBF
描述:VISHAY  IRFIZ34GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道

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