IRF820SPBF

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IRF820SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 2.50 A

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 4 V

输入电容 360pF @25V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 360pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IRF820SPBF
描述:MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 500V; RDSON 3Ω; ID 2.5A; SMD-220; PD 50W; VGS +/-20V

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