VISHAY IRFP9140PBF. 晶体管, MOSFET, 通用, P沟道, 21 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
The is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
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- Dynamic dV/dt rating
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- Repetitive avalanche rated
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- Easy to parallel
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- Simple drive requirement
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- Isolated central mounting hole
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- Fast switching
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- 175°C Operating temperature
额定电压DC -100 V
额定电流 -21.0 A
额定功率 180 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 180 W
输入电容 1400pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 -100 V
连续漏极电流Ids -21.0 A
上升时间 73.0 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
制造应用 Commercial, 电源管理, 工业, Power Management, 商业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFP9140PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFP9140NPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRFP9140PBF和IRFP9140NPBF的区别 |