IRF630STRLPBF

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IRF630STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3000 mW

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF630STRLPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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