IRF9610SPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds -200 V
漏源击穿电压 -200 V
连续漏极电流Ids -1.80 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 170pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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型号： IRF9610SPBF
描述：VISHAY IRF9610SPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK