IRF540STRLPBF

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IRF540STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.077 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

上升时间 44 ns

下降时间 43 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF540STRLPBF
描述:VISHAY IRF540STRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 28A, 100V, 0.077Ω, 10V, 2V

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