INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS42S32800D-7TLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2
SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 86-TSOP II
得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS42S32800D-7TLI SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2
Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 86TSOP
频率 143 MHz
供电电流 150 mA
针脚数 86
时钟频率 143 MHz
位数 32
存取时间 5.5 ns
存取时间Max 5.4ns, 6.5ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
引脚数 86
封装 TSOP-86
宽度 10.16 mm
封装 TSOP-86
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Each
制造应用 Industrial, Computers & Computer Peripherals, 工业, Commercial, 商业, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS42S32800D-7TLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
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