IRF630STRRPBF

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IRF630STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 28 ns

下降时间 20 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: IRF630STRRPBF
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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