IRFBF20STRLPBF

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IRFBF20STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

输入电容Ciss 490pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFBF20STRLPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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