IRFBF20STRLPBF中文资料参数规格 技术参数
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输入电容Ciss 490pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFBF20STRLPBF 型号: IRFBF20STRLPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET