IRL620STRLPBF

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IRL620STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

上升时间 31 ns

下降时间 17 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRL620STRLPBF
描述:Single N-Channel 200V 1Ω 16NC 3.1W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3

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