IPW90R1K0C3概述
INFINEON IPW90R1K0C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
力源芯城:
900V,5.7A,N沟道功率MOSFET
IPW90R1K0C3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 850pF @100VVds
额定功率Max 89 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 89 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 21.1 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPW90R1K0C3
型号： IPW90R1K0C3
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPW90R1K0C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V