IRF820STRRPBF

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IRF820STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3100 mW

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 360pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: IRF820STRRPBF
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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