IRFBE30STRLPBF

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IRFBE30STRLPBF概述

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead Pb-free Available


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
IRFBE30S Series N-Channel 800 V 3 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-263


IRFBE30STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

上升时间 33 ns

下降时间 30 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFBE30STRLPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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