IRFP448PBF

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IRFP448PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 11.0 A

漏源极电阻 0.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

阈值电压 4 V

输入电容 1900pF @25V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFP448PBF
描述:N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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