IRFD024

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IRFD024中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.50 A

极性 N-Channel

耗散功率 1.30 W

漏源极电压Vds 60.0 V

漏源击穿电压 60.0V min

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 58 ns

下降时间 42 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: IRFD024
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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