IRFD024中文资料参数规格 技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.50 A
极性 N-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds 60.0 V
漏源击穿电压 60.0V min
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 58 ns
下降时间 42 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买IRFD024 型号: IRFD024
描述:功率MOSFET Power MOSFET