IXTP4N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP4N80P概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V

The is a PolarHV™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and low package inductance.

.: International standard package

.: Unclamped inductive switching UIS rated

.: Easy to mount

.: Space savings

.: High power density

IXTP4N80P中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 5.5 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 24 ns

反向恢复时间 600 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXTP4N80P

型号： IXTP4N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 V

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