IXFR66N50Q2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFR66N50Q2概述

ISOPLUS N-CH 500V 50A

N-Channel 500V 50A Tc 500W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

IXFR66N50Q2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 9125pF @25VVds

额定功率Max 500 W

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR66N50Q2

型号： IXFR66N50Q2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 500V 50A